中芯国际在7纳米半导体工艺节点：上海的惊喜？

 尽管由于美国在 2020 年底实施的限制，中国最大的代工厂中芯国际 (SMIC) 无法使用 ASML 的极紫外光刻 (EUV) 技术，但其在 7 纳米工艺节点上的显着提升令所有人感到意外。美国的出口管制限制意味着中国的晶圆厂无法制造 10 纳米及以上的半导体。

　　众所周知，这家位于上海的工厂已经完成了 14 纳米 FinFET 技术，这使其落后于 7 纳米技术两代，比台积电和三星提供的最先进工艺节点落后大约四年。但是，在逆向工程和拆解公司 TechInsights 在一篇博文中披露了中芯国际在 7 纳米工艺上的辉煌之后，这种情况突然发生了变化。

　　2021 年夏天，中国的 MinerVa Semiconductor Corp. 在其网站上展示了用于比特币挖矿的 7 纳米芯片，但未命名制造工厂。然而，MinerVa 是中芯国际的客户。SemiAnalysis 的首席分析师 Dylan Patel 是第一个发现这一发展的人。接下来，TechInsights 在公开市场上购买了该芯片，并开始在其实验室中对其进行分析。

　　资料来源：TechInsights

　　现在发现，中芯国际已经开始量产7nm N+2工艺节点的芯片。然而，这家中国半导体工厂在财报电话会议上并未提及其 7 纳米产能。业内观察人士普遍认为，中芯国际已使用其 14 纳米 FinFET 技术开发 7 纳米工艺节点。如果没有 EUV 技术，中芯国际就无法开发超过 7 纳米的工艺节点。

　　Patel 在他的博文中，将国家巨额补贴、挖走台积电工程师以及大量本土专业知识归功于中芯国际向 7 纳米工艺几何结构的进步。他还认为，中芯国际可能很快取代格罗方德，成为仅次于台积电和三星的全球第三大晶圆厂。

　　中芯国际在上海的意外也引发了人们对美国对中国晶圆厂施加的与半导体制造技术相关的限制的质疑。在 TechInsights 的这一突破性发现之后，另一个值得关注的重要事情是，中国的晶圆厂如何在没有使用 ASML 的 EUV 芯片制造技术的情况下进入更小的节点。